测试具有易受由偏置温度不稳定性所造成的阈值电压偏移影响的场效应晶体管的存储器装置

摘要

将用于存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平。响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置。响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平。响应于减小所述供应电压在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平。响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据。响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。

主权项

一种用于测试存储器装置的方法，其包含：将用于所述存储器装置的供应电压设定于第一供应电压电平；响应于设定所述供应电压在所述第一供应电压电平下将测试数据写入到所述存储器装置；响应于写入所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压减小到在所述第一供应电压电平以下的第二供应电压电平；响应于减小所述供应电压而在不识别所述测试数据的情况下在所述第二供应电压电平下从所述存储器装置存取所述测试数据，其中所述测试数据通过以下方式存取：在读取模式下仅接通字线与位线，而所述存储器装置不获知所述测试数据；响应于读取所述测试数据将用于所述存储器装置的所述供应电压增加到在所述第二供应电压电平以上的第三供应电压电平；响应于增加所述供应电压在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据；以及响应于在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取所述测试数据，将在所述第一供应电压电平下写入到所述存储器装置的所述测试数据与在所述第三供应电压电平下从所述存储器装置读取的所述测试数据进行比较。