双向开关以及其制造方法

摘要

一种双向开关及其制造方法，谋求降低具有沟槽型栅极结构且由具有共用漏极的两个MOS型晶体管构成的双向开关的导通电阻。在N型阱层(2)上形成多个沟槽(3)。然后在被多个所述沟槽夹着的N型阱层上每隔一列形成P型体层(6)。在多个P型体层上交替形成N+型第一源极层(7)和N+型第二源极层(9)。在夹着N+型第一源极层的一对沟槽上分别形成第一栅极电极(5a)，在夹着N+型第二源极层的一对沟槽上分别形成第二栅极电极(5b)。将夹在形成有第一栅极电极的沟槽的与P型体层侧相反一侧的侧壁和形成有第二栅极电极(5b)的相同的侧壁之间的N型阱层设为作为电场缓和层的N型漏极层(11a)。将该N型漏极层作为双向刚开关的导通电流流动的电流通路。

主权项

一种双向开关，其特征在于，具有：在第二导电型的半导体基板上形成的第一导电型的第一半导体层、在所述第一半导体层上形成的多个沟槽、在所述沟槽内隔着栅极绝缘膜形成的栅极电极、在被多个所述沟槽的各沟槽夹着的所述第一半导体层上每隔一列形成的多个第二导电型的体层、在多个所述体层上交替形成的第一导电型的第一源极层及第二源极层、由夹在位于所述第一源极层和所述第二源极层之间的两个所述沟槽的侧壁之间的所述第一半导体层构成的共用漏极层。