发明名称 |
一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种X射线检测装置的阵列基板的制造方法,所述制造方法包括:在衬底基板上通过第一次掩模工艺形成源极和漏极、与漏极连接的反光层、位于源极和漏极之上的欧姆层、位于反光层之上的光电二极管和透明电极的图形;通过第二次掩模工艺形成位于欧姆层之上的有源层图形;形成覆盖整个基板的栅极绝缘层;通过第三次掩模工艺形成用于连接偏压电极和透明电极的栅极绝缘层过孔;通过第四次掩模工艺形成位于有源层上方的栅极和与透明电极连接的偏压电极图形。有源层可在第二次掩模工艺中形成,沟道不再受到刻蚀的影响,且后续步骤形成的栅极可对沟道进行保护,不再需要设置沟道阻挡层,因此简化了阵列基板的制造工艺,大大提高了产能。 |
申请公布号 |
CN102664184B |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201210084478.8 |
申请日期 |
2012.03.27 |
申请人 |
北京京东方光电科技有限公司 |
发明人 |
谢振宇;张文余;徐少颖 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种X射线检测装置阵列基板的制造方法,其特征在于,包括步骤:在衬底基板上通过第一次掩模工艺形成相对而置的源极和漏极、与漏极连接的反光层、位于源极和漏极之上的欧姆层、位于反光层之上的光电二极管和透明电极的图形;在完成以上步骤的基板上通过第二次掩模工艺形成位于欧姆层之上并与源极和漏极形成沟道的有源层图形;在完成以上步骤的基板上形成覆盖整个基板的栅极绝缘层;在完成以上步骤的基板上通过第三次掩模工艺形成用于连接偏压电极和透明电极的栅极绝缘层过孔;在完成以上步骤的基板上通过第四次掩模工艺形成位于有源层上方的栅极和与透明电极连接的偏压电极图形。 |
地址 |
100176 北京市大兴区经济技术开发区西环中路8号 |