GaN基LED网孔电极的制作方法

摘要

一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤：1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。具有电极的接触电阻小、透过率高、出光效率高以及电流分布均匀的优点。

主权项

一种GaN基LED网孔电极的制作方法，包括以下步骤：1)在GaN基外延片的表面蒸镀ITO膜；2)在ITO膜的表面排列一单层紧密排列的自组装球；3)加热，使自组装球与ITO膜结合牢固；4)采用ICP方法，刻蚀自组装球，经过刻蚀后，自组装球间距变大，球半径减小，所述采用ICP方法，刻蚀气体为氧气，300W的启辉功率，10W刻蚀功率，刻蚀时间为1‑2min；5)再加热，使自组装球在ITO膜表面有稍微塌陷，把点接触变成面接触；6)在自组装球的表面、间隙里及ITO膜的表面蒸镀金属，所述蒸镀的金属为Ni和Au，Ni的厚度为1‑5nm，Au的厚度为10‑50nm；7)采用甲苯超声方法，去除自组装球表面的金属，保留ITO膜表面金属；8)采用温度为500‑600℃的高温处理，使自组装球气化，使ITO膜表面的金属形成网孔状电极，完成网孔电极的制作。