薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法。该薄膜晶体管阵列基板包括：基板；栅线和数据线，设置为彼此交叉以在基板上限定像素区；开关元件，设置在栅线和数据线的交叉处；第二像素电极和第一公共电极，交替地设置在基板上形成的像素区中；第二公共电极，形成为与在栅绝缘膜和保护膜之间的数据线重叠；第一存储电极，形成在所述基板上；第二存储电极，形成为与第一存储电极重叠，并与开关元件的漏电极一体地形成；以及有机绝缘膜，形成在开关元件、第二存储电极、栅焊盘和数据焊盘的上方。第二公共电极形成为覆盖基板上的数据线、保护膜、有机绝缘膜和栅绝缘膜，并具有到达基板的表面的倾斜面。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板；栅线和数据线，设置为彼此交叉以在所述基板上限定像素区；开关元件，设置在所述栅线和所述数据线的交叉处；第二像素电极和第一公共电极，交替地设置在所述基板上形成的所述像素区中；第二公共电极，形成为与在栅绝缘膜和保护膜之间的所述数据线重叠；第一存储电极，形成在所述基板上；第二存储电极，形成为与所述第一存储电极重叠，并与所述开关元件的漏电极一体地形成；以及有机绝缘膜，形成在所述开关元件、所述第二存储电极、所述数据线、栅焊盘和数据焊盘的上方，其中所述第二公共电极形成为覆盖所述基板上的所述数据线、所述保护膜、所述有机绝缘膜和所述栅绝缘膜，并具有到达所述基板的表面的倾斜面，其中在所述开关元件、第二存储电极、栅焊盘和数据焊盘上方形成的有机绝缘膜的厚度小于在所述数据线上方形成的有机绝缘膜的厚度。