| 发明名称 | 一种钕铁硼磁体的烧结方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种钕铁硼磁体的烧结方法，包括以下步骤：将制备钕铁硼磁体的原料经过第一次烧结后，得到一次烧结体；在真空或保护气体的条件下，将上述步骤得到的一次烧结体进行第二次烧结后，得到钕铁硼磁体。使用本发明的方法烧结的钕铁硼磁体，具有较高的磁体密度和磁性能，尤其是针对一次烧结后得到的密度低、性能差的磁体，本发明提供的烧结方法能够有效的提高磁体密度和磁性能。 | ||
| 申请公布号 | CN103971919A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201410217229.0 | 申请日期 | 2014.05.21 |
| 申请人 | 北京京磁强磁材料有限公司 | 发明人 | 陈芳芳 |
| 分类号 | H01F41/02(2006.01)I;H01F1/057(2006.01)I;B22F3/10(2006.01)I | 主分类号 | H01F41/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵 |
| 主权项 | 一种钕铁硼磁体的烧结方法，包括以下步骤：A)将制备钕铁硼磁体的原料经过第一次烧结后，得到一次烧结体；B)在真空或保护气体的条件下，将步骤A)得到的一次烧结体进行第二次烧结后，得到钕铁硼磁体。 | ||
| 地址 | 101300 北京市顺义区顺通路31号 | ||