发明名称 |
一种高电源抑制比的高精度电流源电路 |
摘要 |
本发明涉及模拟集成电路技术,具体的说是涉及一种高电源抑制比的高精度电流镜电流源电路。本发明的一种高电源抑制比的高精度电流源电路,其特征在于,包括依次连接的启动电路、温度正比例电流产生电路、电源抑制比增强反馈电路和镜像输出电路。本发明的有益效果为,利用嵌位原理和反馈原理,极大地降低了沟道调制效应对于电流源的影响,提高了镜像电流源模块对于电源电压变化的抑制比,并且提高了输出镜像电流的精度,使得输出电流为稳定的不随其他因素变化的PTAT电流。本发明尤其适用于电流镜电流源电路。 |
申请公布号 |
CN103970169A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410232046.6 |
申请日期 |
2014.05.28 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
周泽坤;董渊;程洁;张瑜;石跃;明鑫;王卓;张波 |
分类号 |
G05F1/46(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/46(2006.01)I |
代理机构 |
成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 |
代理人 |
李顺德;王睿 |
主权项 |
一种高电源抑制比的高精度电流源电路,其特征在于,包括依次连接的启动电路、温度正比例电流产生电路、电源抑制比增强反馈电路和镜像输出电路;其中,启动电路由MOS管MP1和电阻R1构成;其中MP1的源极接电源VIN,其漏极通过R1后接地VSS,其栅极和漏极互连;温度正比例电流产生电路由PMOS管MP2、MP3、三极管QN1、QN2、电阻R2、R3、R4构成;其中MP2的源极接电源VIN,其栅极和漏极互连,其栅极接MP1的栅极,其漏极接QN1的集电极;QN1的发射极通过R2后接地VSS,其基极接MP3的漏极;MP3的源极接电源VIN,其栅极接MP2的栅极,其漏极接QN2的集电极;QN2的基极通过R3接QN1的基极,其发射极通过R4后接地VSS;电源抑制比增强反馈电路由PMOS管MP4、MP5、NMOS管MN1构成;其中MP4的源极接电源VIN,其栅极和漏极互连,其栅极接MP5的栅极,其漏极接MN1的漏极;MP5的源极接电源VIN,其漏极通过R4接地VSS;MN1的栅极接MP2的漏极,其源极通过R4后接地VSS;镜像输出电路由PMOS管MP6构成;MP6的源极接电源VIN,其栅极接MP4的漏极,其漏极为镜像电流输出端。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |