半导体器件

摘要

公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括堆叠的多个器件单元，每一个器件单元包括相应的栅极导体，多个器件单元包括公共的中间电介质层、公共的垂直沟道和公共的芯部绝缘层，垂直沟道围绕芯部绝缘层，栅极导体与垂直沟道之间由中间电介质层隔开，多个器件单元中的最顶部一个器件单元还包括与垂直沟道邻接的漏区，以及多个器件单元中的最底部一个器件单元包括还包括位于半导体衬底中的源区和水平沟道，水平沟道连接源区和垂直沟道，其中，漏区位于垂直沟道和芯部绝缘层二者的上方。该漏区与导电通道之间有较大的接触面积，从而减小了接触电阻和定位错配的影响，提高了器件性能和良率。

主权项

一种半导体器件，包括堆叠的多个器件单元，在堆叠方向上，所述多个器件单元的相邻器件单元由层间绝缘层隔开，并且每一个器件单元包括相应的栅极导体，所述多个器件单元包括公共的中间电介质层、公共的垂直沟道和公共的芯部绝缘层，所述垂直沟道围绕所述芯部绝缘层，所述栅极导体与所述垂直沟道之间由所述中间电介质层隔开，所述多个器件单元中的最顶部一个器件单元还包括与所述垂直沟道邻接的漏区，以及所述多个器件单元中的最底部一个器件单元包括还包括位于半导体衬底中的源区和水平沟道，所述水平沟道连接所述源区和所述垂直沟道，其特征在于，所述漏区位于所述垂直沟道和所述芯部绝缘层二者的上方。