发明名称 测试一维磁场磁感应强度的方法
摘要 本发明公开一种一维磁场磁感应强度的测磁元件,通过使用该测磁元件,达到测量一维磁场确定磁感应强度的目的,本发明主要包括:骨架、线圈。绕制线圈的骨架:材质为绝缘胶木,测磁线圈:用Φ0.05mm的漆包线在骨架上绕制1个400匝的线圈,线圈绕制完成后对其进行标定,得到线圈标定常数C,线圈标定常数为匝数与等效面积的乘积。在使用该测磁元件测量某点位置的磁感应强度时,通过测试测磁线圈的感应电势和频率,按公式计算并最终确定该点位置的磁感应强度。
申请公布号 CN103969601A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410228260.4 申请日期 2014.05.28
申请人 哈尔滨电机厂有限责任公司 发明人 富立新;苟智德;刘宇;王磊;李明宇;韩毅;魏长健;王立国;王春梅
分类号 G01R33/02(2006.01)I 主分类号 G01R33/02(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种测试一维磁场磁感应强度的方法,其特征是:用绝缘胶木制做1个绕制线圈(2)的骨架(1),在骨架(1)上用Φ0.05mm的漆包线绕制1个400匝的线圈(2),线圈(2)绕制完成后对其进行标定,得到线圈(2)标定常数C,线圈(2)标定常数为匝数与等效面积的乘积,在使用测磁元件测量某点位置的磁感应强度时,通过测试测磁线圈的感应电势和频率,按公式(1)计算并最终确定该点位置的磁感应强度,磁感应强度计算公式为:<maths num="0001" id="cmaths0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>B</mi><mo>=</mo><mfrac><mi>U</mi><mrow><mn>4.44</mn><mo>&CenterDot;</mo><mi>f</mi><mo>&CenterDot;</mo><mi>C</mi></mrow></mfrac><mo>,</mo><mi>T</mi><mo>-</mo><mo>-</mo><mo>-</mo><mrow><mo>(</mo><mn>1</mn><mo>)</mo></mrow></mrow>]]></math><img file="FDA0000511969140000011.GIF" wi="1190" he="164" /></maths>式中:B——为磁感应强度,(T);U——为测磁线圈的感应电势,(V);f——为频率,(Hz);C——为测磁线圈的标定常数,(m<sup>2</sup>)。
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