发明名称 |
超浅结的制造 |
摘要 |
本发明涉及一种在半导体衬底中形成超浅结的方法。该方法包括通过执行预非晶化注入步骤在半导体衬底中形成非晶化区域以及通过执行单层掺杂步骤在非晶化区域中注入一种或更多种掺杂物。然后热处理该半导体衬底以激活非晶化区域中的注入的掺杂物从而由此在半导体衬底中形成超浅结。可以在注入的非晶化区域上没有设置任何氧化物盖的情况下执行热处理。本发明还提供了一种超浅结的制造。 |
申请公布号 |
CN103972060A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201310150852.4 |
申请日期 |
2013.04.26 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
王立廷;聂俊峰;姚松伟 |
分类号 |
H01L21/265(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/265(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 |
代理人 |
章社杲;孙征 |
主权项 |
一种在半导体衬底中形成超浅结的方法,所述方法包括以下步骤:通过执行预非晶化注入步骤在所述半导体衬底中形成非晶化区域;通过执行单层掺杂步骤在所述非晶化区域中注入掺杂物;以及热处理所述半导体衬底,以激活在所述非晶化区域中注入的所述掺杂物,从而在所述半导体衬底中形成超浅结。 |
地址 |
中国台湾新竹 |