一种存储器单元结构

摘要

本发明公开了一种存储器单元结构，包括：一SOI晶圆，该晶圆包括一底部衬底和位于底部衬底之上的掩埋层及包括掩埋层上方的半导体层；此外，该存储器单元结构还包括含有半浮栅的栅极结构，所述栅极结构设置于所述半导体层的上方；其中，所述半导体层中设置有反型掺杂区，所述半浮栅与所述反型掺杂区接触。所述存储器单元结构彻底消除了体硅电路中的寄生闩锁效应，且具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势。本发明提出的存储器单元结构在用来构建存储电路时，具有工作电压低、功耗小、读取速度快等优点，满足性能要求，并可有效解决传统DRAM功耗和可缩放性的问题。

主权项

一种存储器单元结构，其特征在于，所述存储器单元结构包括：一SOI晶圆，包括一底部衬底和位于底部衬底之上的掩埋层及包括掩埋层上方的半导体层；包含有半浮栅的栅极结构，所述栅极结构设置于所述半导体层的上方；其中，所述半导体层中设置有第一掺杂区、第二掺杂区、沟道区和反型掺杂区，且该半浮栅与所述反型掺杂区接触。