一种形成高压IGBT的FS层的方法及IGBT器件

摘要

本发明涉及一种通过外延形成高压IGBT的FS层的方法，其中的FS层外延形成工艺方法如下：提供包括N型漂移区的高压IGBT生产专用厚度的半导体圆片（1）；在所述半导体圆片的正面淀积一定厚度的保护层(2)，以保护背面外延工艺作业时半导体圆片（1）的正面；将所述半导体圆片翻转，背面向上，外延所需厚度的N+外延层，该N+外延层即所述FS结构，该N+外延层（3）的掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度；在外延结束后，将所述半导体圆片（1）翻转为正面向上，去除正面的所述保护层（2），以确保半导体圆片（1）的正面的光洁性，由该工艺方法制得的高压IGBT性能可靠，提高了生产效率，并降低了生产成本。

主权项

一种在高压IGBT中通过外延形成FS结构的方法，该方法包括如下步骤：a、提供包括N型漂移区的高压IGBT生产专用厚度的半导体圆片（1）；b、在所述半导体圆片的正面淀积一层保护层(2)，以保护背面外延工艺作业时半导体圆片（1）的正面；c、将所述半导体圆片翻转，背面向上，外延所需厚度的N+外延层（3），该N+外延层（3）即所述FS结构，该N+外延层（3）的掺杂浓度大于N型漂移区的掺杂浓度；d、在外延结束后，将所述半导体圆片（1）翻转为正面向上，去除正面的所述保护层（2），以确保半导体圆片（1）的正面的光洁性。