发明名称 陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法
摘要 本发明涉及陶瓷电子部件和制造陶瓷电子部件的方法。一种陶瓷电子部件,其包括第一电介质层、第二电介质层和中间层。所述第一电介质层为包含BaO、Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和TiO<sub>2</sub>的层,所述第二电介质层为包含与所述第一电介质层材料不同的材料的层,和所述中间层为形成于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间并且含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分作为主组分的层。
申请公布号 CN102248723B 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201110084040.5 申请日期 2011.03.31
申请人 TDK株式会社 发明人 樱井俊雄;小更恒;岚友宏;中野贵弘;宫内泰治
分类号 B32B18/00(2006.01)I 主分类号 B32B18/00(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;李茂家
主权项 一种陶瓷电子部件,其包括:第一电介质层,所述第一电介质层包含BaO、Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>和TiO<sub>2</sub>;第二电介质层,所述第二电介质层包含与所述第一电介质层不同的材料,其中包含于所述第二电介质层的主组分包括2MgO·SiO<sub>2</sub>、MgO·SiO<sub>2</sub>和CaO·MgO·2SiO<sub>2</sub>;和中间层,所述中间层设置于所述第一电介质层和所述第二电介质层之间,并含有不共同包含于所述第一电介质层和所述第二电介质层中的主组分,其中与在所述中间层和所述第二电介质层之间的边界部中相比,所述中间层在所述中间层和所述第一电介质层之间的边界部中以更高的比例含有不包含于所述第二电介质层中且仅包含于所述第一电介质层中的组分,和与在所述中间层和所述第一电介质层之间的边界部中相比,所述中间层在所述中间层和所述第二电介质层之间的边界部中以更高的比例含有不包含于所述第一电介质层中且仅包含于所述第二电介质层中的组分。
地址 日本东京都