实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法

摘要

本发明公开了一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，在锗基衬底表面上覆盖一薄层多晶硅或多晶锗硅，然后在有源区被保护的情况下，通过两步氧化形成表面覆盖二氧化硅层或氧化锗硅层的二氧化锗隔离结构，这种以多晶硅多晶锗硅作为牺牲层的两步氧化工艺有利于提高所制备的二氧化锗隔离的质量，减小局部场氧氧化产生的鸟嘴效应，从而显著提高锗器件的性能。

主权项

一种实现锗基MOS器件有源区之间隔离的方法，依次进行下述步骤：1）对半导体锗基衬底进行清洗并去除表面自然氧化层；2）对衬底表面进行钝化；3）在衬底表面淀积一层多晶硅或多晶锗硅作为牺牲层，所述牺牲层的厚度为1nm‑5nm；4）在牺牲层上淀积一层氮化硅；5）在氮化硅层上涂光刻胶，光刻定义有源区，在有源区上方形成光刻胶掩膜；6)以光刻胶为掩膜刻蚀去除隔离区上方的氮化硅，再去除光刻胶掩膜；7）采用两步氧化实现对牺牲层与锗的氧化，即先在温度300‑550℃，压强15‑25atm条件下进行高压氧化，再在温度200‑350℃，压强1‑3atm条件下进行低温氧气氛围退火，形成位于锗基衬底与表面覆盖的二氧化硅层或氧化锗硅层之间的二氧化锗隔离结构；8）刻蚀去除有源区上方的氮化硅和牺牲层。