一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构

摘要

本发明涉及半导体激光器技术领域，提出了一种适用于倒焊装的半导体激光器芯片结构，主要包括：衬底层1，缓冲层2，N型包覆层3，下波导层4，有源区5，上波导层6，P型包覆层7，过渡层8，P型接触层9，脊型台面10，电流限制沟道11，分离沟道12。本发明能够提高半导体激光器管芯与焊料以及热沉的接触面积，提高管芯的抗压能力和散热能力，避免由于焊料爬升引起的短路现象。

主权项

一种适用于倒焊装的半导体激光器，其特征在于，包括： 一衬底层(1)，该衬底用于支撑半导体激光器各层外延材料，并作为激光器的N面电极接触层，衬底是N型砷化镓材料； 一缓冲层(2)，该缓冲层制作在衬底(1)上，为N‑砷化镓材料； 一N型包覆层(3)，该N型包覆层制作在缓冲层(2)上，为N型铝镓砷材料； 一下波导层(4)，该下波导层制作在N型包覆层(3)上，为铝镓砷材料； 一有源区(5)，该有源区制作在下波导层(4)上，为单量子阱层，为镓砷磷材料； 一上波导层(6)，该上波导层制作在有源区(5)上，为铝镓砷材料； 一P型包覆层(7)，该P型包覆层制作在上波导层(6)上，为P型铝镓砷材料； 一过渡层(8)，该过渡层制作在P型包覆层(7)上，为P型砷化镓材料； 一P型接触层(9)，该P型接触层制作在过渡层(8)上，为P型砷化镓材料； 一脊型台面(10)，该脊型台面制作在管芯中心； 一电流限制沟道(11)，该电流限制沟道制作在脊型台面的两侧，其深度在P型接触层(9)之下且位于过渡层(8)中，沟道内电阻大于脊型台面，容易限制注入电流的注入路径，提高器件的电光转换效率； 一分离沟道(12)，该分离沟道位于管芯的左右两侧，其深度在缓冲层(2)之下且位于衬底层(1)中，沟道与台面的台阶容易阻止焊料的攀爬，避免因焊料爬升引起的短路现象，从而提高器件的可靠性。