发明名称 用于在晶圆的端子面上生产接触金属的设备
摘要 本实用新型涉及一种用于在晶圆的端子面上生产接触金属的设备。该用于在晶圆的端子面上生产接触金属的设备包括:输入/输出站,其用于为设备配备至少一个输送保持件,该输送保持件用于保持多个晶圆;至少一个清洁站;至少一个沉淀站,其处理室用于将镍沉淀在晶圆的端子面上;至少一个净化站,其包括用于从晶圆的表面移除可能存在的残余物的处理室;以及干燥站。所有处理室都配置在工作站的处理侧,该处理侧通过间隔设备与供给侧相分隔,用于操作和控制发生在所有这些处理室中的处理的设备配置在供给侧,间隔设备包括输送设备和配置于输送设备的操纵器设备,用于操作输送保持件。这样,允许相应晶圆的符合成本效益的生产。
申请公布号 CN203760439U 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201420128184.5 申请日期 2014.03.20
申请人 派克泰克封装技术有限公司 发明人 加西姆·阿兹达什;S·塔布里兹;T·克劳斯
分类号 H01L21/67(2006.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种用于在晶圆的端子面上生产接触金属的设备(10),其具有沿直线配置的多个工作站,所述设备包括:输入/输出站,其用于为所述设备配备至少一个输送保持件(22),所述输送保持件(22)用于保持多个晶圆;至少一个清洁站,其包括用于容纳保持有晶圆的所述输送保持件(22)的处理室(23);至少一个沉淀站,其包括用于容纳保持有晶圆的所述输送保持件(22)的处理室(33、35),其中,所述至少一个沉淀站的处理室(33、35)用于保持镍溶解于承载液体的溶液,用于将镍沉淀在晶圆的端子面上;至少一个净化站,其包括用于容纳保持有晶圆的所述输送保持件(22)以从晶圆的表面移除可能存在的残余物的处理室(24、30、32、34、37、40、42);以及干燥站,其包括用于容纳保持有晶圆的所述输送保持件(22)的处理室(43),其特征在于,所有处理室(23、33、35;24、30、32、34、37、40、42;43)都配置在所述工作站的处理侧(49),所述处理侧通过间隔设备(81)与供给侧(50)相分隔,用于操作和控制发生在所有这些处理室中的处理的设备配置在所述供给侧,其中,所述间隔设备(81)包括输送设备(56)和配置于所述输送设备(56)的操纵器设备(57),用于操作所述输送保持件(22)。
地址 德国瑙恩