发明名称 |
测试结构及其版图生成方法 |
摘要 |
本发明提供了一种测试结构,包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构,每一所述子MOS结构包括栅极以及有源区;第i行、第j列的所述子MOS结构还包括栅极通孔以及有源区通孔;n≥3,m≥3,1<i<n,1<j<m,n、m、i、j均为正整数。本发明还提供一种测试结构的版图生成方法。在所述测试结构中,第i行、第j列的所述子MOS结构作为待测试的MOS管,其余的所述子MOS结构作为冗余MOS管,提高所述测试结构中的图形密度分布的均匀型,使得所述测试结构在制备过程中,避免受化学机械研磨和刻蚀等工艺的影响大,从而提高可靠性测试的结果的准确度。 |
申请公布号 |
CN103970946A |
申请公布日期 |
2014.08.06 |
申请号 |
CN201410182131.6 |
申请日期 |
2014.04.30 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
崔丛丛;刘梅;马杰 |
分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
主分类号 |
G06F17/50(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
王宏婧 |
主权项 |
一种测试结构,其特征在于,包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构,每一所述子MOS结构包括:有源区,设置于所述衬底上;栅极,设置于所述有源区上;其中,第i行、第j列的所述子MOS结构还包括:栅极通孔,设置于所述栅极上;有源区通孔,设置于所述有源区上;n≥3,m≥3,1<i<n,1<j<m,n、m、i、j均为正整数。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号 |