发明名称 测试结构及其版图生成方法
摘要 本发明提供了一种测试结构,包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构,每一所述子MOS结构包括栅极以及有源区;第i行、第j列的所述子MOS结构还包括栅极通孔以及有源区通孔;n≥3,m≥3,1<i<n,1<j<m,n、m、i、j均为正整数。本发明还提供一种测试结构的版图生成方法。在所述测试结构中,第i行、第j列的所述子MOS结构作为待测试的MOS管,其余的所述子MOS结构作为冗余MOS管,提高所述测试结构中的图形密度分布的均匀型,使得所述测试结构在制备过程中,避免受化学机械研磨和刻蚀等工艺的影响大,从而提高可靠性测试的结果的准确度。
申请公布号 CN103970946A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410182131.6 申请日期 2014.04.30
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 崔丛丛;刘梅;马杰
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 王宏婧
主权项 一种测试结构,其特征在于,包括衬底以及所述衬底上的n×m个阵列的子MOS结构,每一所述子MOS结构包括:有源区,设置于所述衬底上;栅极,设置于所述有源区上;其中,第i行、第j列的所述子MOS结构还包括:栅极通孔,设置于所述栅极上;有源区通孔,设置于所述有源区上;n≥3,m≥3,1<i<n,1<j<m,n、m、i、j均为正整数。
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
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