发明名称 | 固态成像元件以及电子装置 | ||
摘要 | 本公开涉及一种能够抑制暗电流产生并获得更高图像质量的固态成像元件和电子装置。固态成像元件包括:高浓度扩散层,配置为用作连接部分,配线通过该连接部分连接到半导体衬底;以及结漏控制膜,形成以覆盖该扩散层的表面。另外,为了将配线和扩散层连接,堆叠于半导体衬底上的绝缘膜中形成的开口宽度大于扩散层的宽度。更进一步,电荷累积部分配置为累积根据接收到的光量而产生电荷的光电转换部分所产生的电荷,其中,结漏控制膜同时被用作电荷累积部分的电容膜。此外,形成有氧化硅或低界面态氧化膜于其中的堆叠结构包含在扩散层和结漏控制膜之间。本技术例如可应用于CMOS图像传感器。 | ||
申请公布号 | CN103975437A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
申请号 | CN201280060303.1 | 申请日期 | 2012.12.04 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 佐藤尚之 |
分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 焦玉恒 |
主权项 | 一种固态成像元件,包括:高浓度扩散层,配置为用作连接部分,配线通过所述连接部分连接至半导体衬底;以及结漏控制膜,形成以覆盖所述扩散层的表面。 | ||
地址 | 日本东京都 |