高频半导体开关及无线设备

摘要

根据一个实施方式，提供一种高频半导体开关，具备第1端子、多个第2端子、第1直通FET组、多个第2直通FET组及分流FET组。上述第1直通FET组由串联连接的多个第1场效应晶体管构成，一端连接到上述第1端子。上述多个第2直通FET组各自由串联连接的多个第2场效应晶体管构成，各自的一端分别连接到上述多个第2端子，各自的另一端与上述第1直通FET组的另一端共通地连接。上述分流FET组由在上述第2端子和接地端子之间串联连接的多个第3场效应晶体管构成。

主权项

一种高频半导体开关，其特征在于，具备：第1端子；多个第2端子；第1直通FET组，由串联连接的多个第1场效应晶体管构成，一端与上述第1端子连接；多个第2直通FET组，分别由串联连接的多个第2场效应晶体管构成，各自的一端分别与上述多个第2端子连接，各自的另一端共通地与上述第1直通FET组的另一端连接；以及分流FET组，由串联连接在上述第2端子和接地端子之间的多个第3场效应晶体管构成；将构成上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管的个数设为n、将分别构成上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的个数设为m、并将上述第2直通FET组的个数设为x的情况下，上述第2场效应晶体管的个数m被设定为，在上述第1直通FET组为导通状态且多个上述第2直通FET组为非导通状态时，多个上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的源漏极间电压不超过击穿电压，而且，上述第1场效应晶体管的个数n根据上述x及上述m的值被设定为，在上述第1直通FET组及上述第2直通FET组为非导通状态时，上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管的源漏极间电压不超过击穿电压。