| 发明名称 | Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种Cu-Mn合金溅射靶材、Cu-Mn合金溅射靶材的制造方法以及半导体元件，该Cu-Mn合金溅射靶材能够减少由于含有高浓度的Mn、杂质的氧化物等的异物所造成的溅射时的异常放电。该Cu-Mn合金溅射靶材以含有平均浓度5原子%以上且30原子%以下的Mn并且平均结晶粒径为10μm以上且50μm以下的Cu-Mn合金作为母材，利用X射线能谱分析得到的Mn浓度的最大值和最小值与平均浓度的差为±2原子%以内。 | ||
| 申请公布号 | CN103966558A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN201310450062.8 | 申请日期 | 2013.09.27 |
| 申请人 | 株式会社SH铜业 | 发明人 | 辰巳宪之;关聪至;小林隆一;上田孝史郎 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C1/02(2006.01)I;H01L21/203(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;於毓桢 |
| 主权项 | 一种Cu‑Mn合金溅射靶材，其特征在于，以含有平均浓度为5原子%以上且30原子%以下的Mn并且平均结晶粒径为10μm以上且50μm以下的Cu‑Mn合金作为母材，利用X射线能谱分析得到的Mn浓度的最大值和最小值与所述平均浓度的差为±2原子%以内。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||