发明名称 | 用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏 | ||
摘要 | 一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏包含酸以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物。该酸包括至少一种由下列群组所组成的无机酸:磷酸、盐酸、硫酸及硝酸。该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配,使该蚀刻膏具有容易配制、较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点,且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时,可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜,继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。 | ||
申请公布号 | CN103965913A | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
申请号 | CN201310206813.1 | 申请日期 | 2013.05.29 |
申请人 | 三治光电科技股份有限公司 | 发明人 | 黄耿芳;王为华 |
分类号 | C09K13/04(2006.01)I | 主分类号 | C09K13/04(2006.01)I |
代理机构 | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人 | 张雅军 |
主权项 | 一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于包含:酸,包括选自于:磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸;以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物;其中,该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。 | ||
地址 | 中国台湾台南市 |