发明名称 用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏
摘要 一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏包含酸以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物。该酸包括至少一种由下列群组所组成的无机酸:磷酸、盐酸、硫酸及硝酸。该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。本发明通过使用硅酸盐系黏土矿物及含量与粒径的搭配,使该蚀刻膏具有容易配制、较佳的印刷性、储存安定性佳且成本低的优点,且于蚀刻氧化铟锡系导电膜时,可有效地蚀刻氧化铟锡系导电膜,继而形成所诉求的图案化氧化铟锡系导电膜。
申请公布号 CN103965913A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201310206813.1 申请日期 2013.05.29
申请人 三治光电科技股份有限公司 发明人 黄耿芳;王为华
分类号 C09K13/04(2006.01)I 主分类号 C09K13/04(2006.01)I
代理机构 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 代理人 张雅军
主权项 一种用于蚀刻氧化铟锡系导电膜的蚀刻膏,其特征在于包含:酸,包括选自于:磷酸、盐酸、硫酸、硝酸或它们的任一组合所组成的无机酸;以及25wt%至45wt%的硅酸盐系黏土矿物;其中,该硅酸盐系黏土矿物的平均粒径范围为0.65μm至8μm。
地址 中国台湾台南市