发明名称 离子注入设备及离子注入方法
摘要 本发明提供了一种等离子注入设备和等离子体注入方法,包括:在离子注入前,将载片台上的晶圆固定设置;开启离子发生腔和第一偏转单元;离子发生腔发出离子束穿过第一偏转单元后冲击到法拉第杯上,法拉第杯检测离子束的属性;如果离子束的属性符合要求,第二偏转单元开启;离子束在第二偏转单元中发生偏转,离开第二偏转单元冲击到晶圆上;通过控制第二偏转单元的施加于离子束上的力的大小,来控制离子束的偏转角度,从而使离子束在晶圆上作上下移动扫描;在离子注入的整个过程中,载片台不发生任何动作。本发明减少了载片台的维护成本,减小了对工艺腔的真空度的影响,避免了晶圆上颗粒的产生,并提高了响应速度,从而提高了工艺质量。
申请公布号 CN103972011A 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201410215837.8 申请日期 2014.05.20
申请人 上海华力微电子有限公司 发明人 应力平;严骏;裴雷洪
分类号 H01J37/317(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I 主分类号 H01J37/317(2006.01)I
代理机构 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 代理人 吴世华;陈慧弘
主权项 一种离子注入设备,具有离子反应腔室,所述离子反应腔室包括离子发生腔、可移动载片台和法拉第杯,其特征在于,包括:第一偏转单元,设置于所述离子发生腔和所述法拉第杯之间,用于使所述离子发生腔的发出的离子束沿着一定的方向运动;第二偏转单元,设置于所述第一偏转单元和所述载片台之间,用于使从所述第一偏转单元出来的离子束发生偏转,从而对准所述载片台上的晶圆进行上下移动扫描;所述法拉第杯,位于穿过所述第一偏转单元的离子束的运动方向上,用于接受穿过所述第一偏转单元后的离子束的冲击。
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号