| 发明名称 | 一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关 | ||
| 摘要 | 一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关，包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置于衬底表面；锆钛酸铅材料层，所述锆钛酸铅材料层设置于第一电极远离衬底的表面；介质薄膜层，所述介质薄膜层设置于锆钛酸铅材料层远离第一电极的表面，所述介质薄膜层的材料为高介电常数材料；以及第二电极，所述第二电极设置于介质薄膜层远离锆钛酸铅材料层的表面。本发明的优点在于，采用了高介电常数材料作为介质薄膜层，提高了隧道开关的稳定性和可靠性，更好的满足工业应用的需要。 | ||
| 申请公布号 | CN101510564B | 申请公布日期 | 2014.08.06 |
| 申请号 | CN200910048448.X | 申请日期 | 2009.03.27 |
| 申请人 | 复旦大学 | 发明人 | 江安全;马镇 |
| 分类号 | H01L29/92(2006.01)I;H01L29/43(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/92(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人 | 翟羽 |
| 主权项 | 一种基于锆钛酸铅材料的隧道开关，其特征在于，包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置于衬底表面；锆钛酸铅材料层，所述锆钛酸铅材料层设置于第一电极远离衬底的表面；介质薄膜层，所述介质薄膜层设置于锆钛酸铅材料层远离第一电极的表面，所述介质薄膜层的材料为高介电常数材料，所述介质薄膜层的材料选自于氧化铝、氧化铪、氧化钛和氧化铌中的一种；以及第二电极，所述第二电极设置于介质薄膜层远离锆钛酸铅材料层的表面。 | ||
| 地址 | 200433 上海市杨浦区邯郸路220号 | ||