发明名称 一种NiO纳米线的制备方法及磁场热处理装置
摘要 本发明涉及一种NiO纳米线的制备方法。本发明还涉及一种热处理装置,特别涉及一种磁场热处理装置,具体涉及一种用于所述NiO纳米线的制备方法的热处理装置。一种NiO纳米线的制备方法,该方法是将Ni纳米线置于磁场环境中进行退火处理。一种磁场热处理装置,包括:磁场产生设备和恒温控温设备。本发明解决了现有的NiO纳米线制备方法工艺复杂、成本高昂、无法量化生产、环境污染严重的技术问题。
申请公布号 CN102502893B 申请公布日期 2014.08.06
申请号 CN201110344055.0 申请日期 2011.11.03
申请人 上海交通大学 发明人 张亚非;王剑;魏浩
分类号 C01G53/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I 主分类号 C01G53/04(2006.01)I
代理机构 上海旭诚知识产权代理有限公司 31220 代理人 高为华
主权项 一种NiO纳米线的制备方法,其特征在于,将Ni纳米线置于磁场强度为0.05T‑0.52T的磁场环境中进行热处理,以得到所述NiO纳米线;包括以下步骤:a)将所述Ni纳米线置于所述磁场环境中;b)在所述磁场环境下以0.5℃/min‑50℃/min的速率将所述Ni纳米线升温至400℃‑1500℃;c)在所述磁场环境下将所述Ni纳米线保温1.5h‑15h;d)在所述磁场环境下进行自然冷却,直至室温,即得所述NiO纳米线。
地址 200240 上海市闵行区东川路800号