一种低温多晶硅显示装置及其制作方法

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅显示装置及其制作方法，包括：在基板之上方形成金属屏蔽层；在金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在多晶硅层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使所述像素电极层与多晶硅层电连接，使公共电极层与金属屏蔽层电连接。通过上述方式，本发明能够降低公共电极层的阻值，减少因为公共电极层的电阻值过大引起的延迟效应，减少一次掩膜板的使用，减少完成一次工艺流程的时间，降低成本，提高产能。

主权项

一种低温多晶硅显示装置的制作方法，其特征在于，包括：在基板之上方形成金属屏蔽层，并使所述金属屏蔽层延伸至对应公共电极层的下方；在所述金属屏蔽层之上方形成与金属屏蔽层绝缘的多晶硅层；在所述多晶硅层之上方依序形成三层绝缘层，并且在对应多晶硅层与像素电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第一导电通路，在对应金属屏蔽层与公共电极层电连接的位置形成贯穿三层绝缘层的第二导电通路；在所述三层绝缘层之上方分别形成相互绝缘的公共电极层和像素电极层，并且使所述像素电极层与多晶硅层通过第一导电通路电连接，使公共电极层与金属屏蔽层通过第二导电通路电连接。