具有低应力薄膜间隙之贯穿矽穿孔装置及其形成方法;THROUGH SILICON VIA DEVICE HAVING LOW STRESS, THIN FILM GAPS AND METHODS FOR FORMING THE SAME

摘要

本发明的态样普遍系关于用于形成在矽穿孔与电晶体之间具有「缓冲区」或间隙层之如矽穿孔装置等半导体装置的方法。间隙层通常系以控制装置上应力及破裂形成的低应力、薄膜填料予以填充。还有,间隙层确保介于矽穿孔与电晶体之间的特定空间距离以降低温度偏移(temperature excursion)的负面效应。