于铜基导体结构上形成石墨衬垫及／或盖罩层之方法;METHODS OF FORMING GRAPHENE LINERS AND/OR CAP LAYERS ON COPPER-BASED CONDUCTIVE STRUCTURES

摘要

本发明涉及在铜基导体结构上形成石墨衬垫及/或盖罩层的方法,本发明的一种例示的方法包括在绝缘材料层中形成沟槽/通孔、至少在该沟槽/通孔中形成石墨衬垫层、在该石墨衬垫层上形成铜基晶种层、在该铜基晶种层上沉积块材铜基材料以使其填满溢出该沟槽/通孔、以及实行至少一化学机械研磨制程以至少移除位于该沟槽/通孔之外的该块材铜基材料以及该铜基晶种层的超出量,藉此定义铜基导体结构,其具有设于该铜基导体结构及该绝缘材料层之间的石墨衬垫层。