蚀刻液、使用其的蚀刻方法及半导体元件的制造方法;ETCHING SOLUTION, ETCHING METHOD USING THE SAME AND METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明是一种蚀刻液，其对具有包含氮化钛(TiN)的第1层、与包含选自3族~11族的过渡金属的至少1种金属的第2层的基板进行处理，而选择性除去上述第1层，且包含下述式(1)所示的无机化合物、氧化剂以及对第2层的防蚀剂：Hal-Q…(1) (Hal表示卤素原子；Q表示成为一价阳离子的原子或原子组群)。