一种晶圆级晶片的封装方法

摘要

本发明一般涉及一种半导体装置的制备方法，更确切的说，本发明旨在提供一种在晶圆级晶片的封装步骤中获得较薄的晶片以及提高晶圆机械强度的封装方法。先在晶片的金属焊盘上焊接金属凸块，然后形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面，并研磨减薄第一塑封层，之后在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽。在晶圆的背面实施研磨以形成一圆柱形凹槽，在晶圆暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层，然后将晶圆的周边部分切割掉并沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割。

主权项

一种晶圆级晶片的封装方法，其中在晶圆所包含的晶片的正面设置有多个金属焊盘，其特征在于，包括以下步骤：在任意一个所述的金属焊盘上至少焊接一个金属凸块；形成一圆形的第一塑封层覆盖在晶圆的正面并将所述金属凸块包覆住，其中，第一塑封层的半径小于晶圆的半径从而在晶圆的正面形成一未被第一塑封层覆盖住的环形带区域，并且，任意一条位于相邻晶片间的切割线的两端均从第一塑封层下方延伸到该环形带区域内；研磨减薄所述第一塑封层并将金属凸块从第一塑封层中予以外露；沿着切割线两端所构成的直线在第一塑封层上实施切割以形成相应的切割槽；在晶圆的背面实施研磨，以形成从晶圆的背面凹陷至晶圆内的一圆柱形凹槽，并形成位于晶圆边缘与圆柱形凹槽侧壁之间的一环形支撑结构；在所述晶圆的暴露在圆柱形凹槽内的底面上沉积一层金属层；将晶圆的周边部分切割掉；沿切割槽对第一塑封层、晶圆、金属层实施切割，将多个所述晶片从晶圆上分离下来，且任意一个晶片的正面均覆盖有因切割第一塑封层而形成的顶部塑封层及其背面均覆盖有因切割金属层而形成的底部金属层；以及所述的金属凸块均从所述顶部塑封层中予以外露。