一种使用聚焦离子束系统进行晶片平面成像的方法

摘要

一种使用聚焦离子束系统进行晶片平面成像的方法，包含下列步骤：(A)产生至少一定位标记以标示待测晶片的待测区。(B)在待测区上设置一金属薄膜。(C)切割待测晶片以产生一第一状态试片。(D)将第一状态试片切除一凹形缺口，形成一第二状态试片。(E)将第二状态试片设置于一可倾式基台的座面。(F)旋动可倾式基台的座面，使聚焦离子束系统的离子束以一倾斜角度射入凹形缺口。(G)沿着聚焦离子束系统的入射路径发射出离子束，形成具有不同深度而平行于该金属薄膜的待测区平面成像图。

主权项

一种使用聚焦离子束系统进行晶片平面成像的方法，包含下列步骤：(A)在一待测晶片上产生至少一定位标记以标示该待测晶片上的待测区；(B)在该待测区表面形成一金属薄膜；(C)使一切割线靠近该金属薄膜下切割该待测晶片以产生一第一状态试片；(D)沿着该金属薄膜的一边缘切割该第一状态试片以形成一凹形缺口，形成该凹形缺口的试片定义为一第二状态试片，其中该凹形缺口的底部形成一底平面，上述至少一定位标记位于该金属薄膜远离该凹形缺口的另一边缘；(E)将该第二状态试片直立于一可倾式基台的座面，使该凹形缺口朝上；(F)旋动该可倾式基台的座面，其中该金属薄膜的法向量垂直于一聚焦离子束系统的入射路径，该底平面的法向量与该聚焦离子束系统的入射路径呈现一非零度的夹角，使该聚焦离子束系统的离子束以一倾斜角度射入该凹形缺口；以及(G)沿着该聚焦离子束系统的入射路径发射出离子束，形成具有不同深度而平行于该金属薄膜的待测区平面成像图。