发明名称 氧化物烧结体,及使用其所得之氧化物膜,含其之透明基材
摘要 本发明提供一种氧化物烧结体、氧化物膜、及透明基材。氧化物烧结体,主要由镓、铟及氧所成;相对于全金属元素,含有该镓超过65原子%未达100原子%,其密度为5.0g/cm3以上。;氧化物膜,系使用该氧化物烧结体作为溅镀标靶而得;基板除外之膜本身,其显示出光透过率为50%之光的最短波长为320nm以下。;透明基材,系在由玻璃板、石英板、单面或双面以气体阻挡膜被覆的树脂板或树脂薄膜、或于内部插入有气体阻挡膜之树脂板或树脂薄膜中所选出的透明基板之单面或双面上,形成该氧化物膜所得。
申请公布号 TWI447072 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW095139037 申请日期 2006.10.23
申请人 住友金属鑛山股份有限公司 日本 发明人 中山德行;阿部能之
分类号 C01G15/00;H01B5/14;C23C14/08 主分类号 C01G15/00
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种氧化物烧结体,其系由镓、铟及氧所成之氧化物烧结体;其特征为,相对于全金属元素,含有该镓超过65原子%、未达100原子%,且具有由具β-Ga2O3型构造之氧化镓相(β-Ga2O3相)、具β-Ga2O3型构造之氧化镓铟相(β-GaInO3相),或(Ga,In)2O3相中所选出的一个以上之相,进而藉由方铁锰矿型构造之氧化铟相(In2O3相)所构成;该方铁锰矿型构造之氧化铟相(In2O3相)的含有比率,以下式定义之X射线绕射尖峰强度比表示时为5%以下,且烧结体密度为5.0g/cm3以上,In2O3相(400)/{β-Ga2O3相(-202)+β-GaInO3相(111)+(Ga,In)2O3相(2 θ≒33°)×100(%)。
地址 日本