高压半导体元件装置

摘要

本发明提供一种高压半导体元件装置，其包括一第一型掺杂半导体基底，及一第二型掺杂磊晶半导体于第一型掺杂半导体基底上。一第一型体掺杂区设置于第二型掺杂磊晶半导体中。一浓掺杂汲极区形成于第二型掺杂磊晶半导体中，且与第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一通道区。一第二型深浓掺杂区自该浓掺杂汲极区延伸至该第一型掺杂半导体基底。一对异型浓掺杂源极区设置于该第一型体掺杂区中以及一闸极设置于该通道区上，其间隔以一闸极介电层，其中该高压半导体元件装置系以一第一型深浓掺杂区域隔离其他元件。

主权项

一种高压半导体元件装置，包括：一第一型掺杂半导体基底；一第二型掺杂磊晶半导体于该第一型掺杂半导体基底上；一第一型体掺杂区于该第二型掺杂磊晶半导体中；一浓掺杂汲极区于该第二型掺杂磊晶半导体中，且与该第一型体掺杂区间隔以一隔离区和一通道区；一第二浮置第一型掺杂区设置于该第一型掺杂半导体基底中，相对该浓掺杂汲极区的下方；一第二型深浓掺杂区自该浓掺杂汲极区延伸至该第一型掺杂半导体基底；一对异型浓掺杂源极区设置于该第一型体掺杂区中；以及一闸极设置于该通道区上，其间隔以一闸极介电层；其中该高压半导体元件装置系以一第一型浓掺杂区域隔离其他元件。