| 摘要 |
一种半导体装置及其制造方法系揭露于此。一例示性的半导体装置包括一基板,其包括一闸极结构,此闸极结构分隔源极/汲极(source and drain,S/D)特征部件。此半导体装置更包括一第一介电层,形成于该基板上,此第一介电层包括一第一内连线结构,其与源极/汲极特征部件形成电性接触。此半导体装置又更包括一中介层,形成于第一介电层上,此中介层具有一上表面,其大体上与第一内连线结构的一上表面共平面。此半导体装置又更包括一第二介电层,形成于中介层上,此第二介电层包括一第二内连线结构,其与第一内连线结构形成电性接触,及一第三内连线结构,其与闸极结构形成电性接触。 |
