半导体装置结构及形成互补式金属氧化物半导体积体电路结构之方法;SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURE AND METHODS FOR FORMING A CMOS INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURE

摘要

提供数种用于形成CMOS积体电路结构的方法,该等包含:进行第一植入制程用以对半导体基板之区域进行晕环植入与源极和汲极延伸部植入中之至少一者,然后在该半导体基板的另一区域中形成应力源区。此外,提供一种半导体装置结构,该结构包含邻近闸极电极结构而埋入半导体基板的应力源区,该埋藏应力源区有一表面与一介面在该表面的法线方向相差小于约8奈米,其中该介面系形成于该闸极电极结构与该基板之间。