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发明名称
半导体装置及半导体装置的制造方法
摘要
半导体装置是具有:第1导电型的接触领域、第2导电型的本体领域、第1导电型的漂移领域、沟、绝缘膜、闸极电极、及第2导电型的浮动领域。沟是从半导体基板的表面贯通接触领域及本体领域而形成,其底部是位于漂移领域内。绝缘膜是覆盖沟的内面。闸极电极是以绝缘膜覆盖的状态下收容于沟内。浮动领域是设在漂移领域内之中比沟的底部深的位置,且与沟的底部邻接。浮动领域是具有:与沟的底部邻接的第1层、及设在比第1层更深的位置的第2层。第1层的宽是比第2层的宽更宽。
申请公布号
TW201431090
申请公布日期
2014.08.01
申请号
TW102148761
申请日期
2013.12.27
申请人
丰田自动车股份有限公司
发明人
西村信也;副岛成雅;山本建策
分类号
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01)
主分类号
H01L29/78(2006.01)
代理机构
代理人
<name>林志刚</name>
主权项
地址
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA 日本
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