ＧａＮ半导体装置及其形成方法;THICK ALN INTER-LAYER FOR III-NITRIDE LAYER ON SILICON SUBSTRATE

摘要

本发明提供一种GaN半导体装置,包括:一第一GaN层设置于一半导体基板之上方;一第一AlN间层设置于前述第一GaN层之上方;一第二GaN层设置于前述第一AlN间层之上方;一主动层设置在前述第二GaN层之上方;一源极区域位于前述主动层之一第一端;一汲极区域位于前述主动层之一第二端,其位于前述第一端之相反侧;以及一闸极区域位于前述主动层上方,且介于前述源极区域与前述汲极区域之间。本发明并另提供其形成方法。