| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供一种半导体装置,包括:截头圆锥形凸出结构,设于基底上并凸出基底的平面。源极区,设于此截头圆锥形凸出结构的顶部。侧壁间隔物,沿着此源极区的侧壁设置。源极接点,此源极接点具有实质上大于源极区宽度的关键尺寸且形成于源极区及侧壁间隔物上。 |
| 申请公布号 |
TW201431082 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW102144549 |
申请日期 |
2013.12.05 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
庄学理;郭正诚;刘继文;朱鸣 |
| 分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
|
| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
