基于金属氮氧化物之异质接面场效电晶体;METAL OXYNITRIDE BASED HETEROJUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

摘要

本发明之实施例大体上有关于一种HFET及一种闸极,HFET具有一或数个具有源极及汲极的金属氮氧化物或金属氧化物的通道半导体层,闸极经由一或数个接面接触半导体层,接面形成于闸极与通道半导体之间。接面可藉由插入不同形式之半导体材料、不同金属氮氧化物、p型金属氧化物半导体或低功函数(work function)金属氧化物导体于闸极与通道材料之间来形成,半导体材料举例为非晶矽半导体材料。接面可亦藉由使用一金属来形成,此金属系如同在萧基电晶体中一般的形成萧基位障于金属与半导体之间。