用于矽基板三族氮化物电晶体的磊晶缓冲层;EPITAXIAL BUFFER LAYERS FOR GROUP III-N TRANSISTORS ON SILICON SUBSTRATES

摘要

各实施例包含可提供在诸如矽基材等的非三族氮化物基材之上生长的三族氮化物装置层中之较低的缺陷密度的磊晶半导体堆叠。在各实施例中,一变晶式缓冲层包含晶格与上方氮化镓装置层匹配的AlxIn1-xN层,以便减少热失配诱发的缺陷。此种结晶磊晶半导体堆叠可以是用于诸如高电子移动率电晶体(HEMT)或发光二极体(LED)制造之装置层。藉由使用能够实现高Ft且亦能够实现足够高的崩溃电压(BV)而实施高电压及/或高功率电路的基于三族氮化物(III-N)之一电晶体技术,可在矽基材的第一区中之半导体堆叠上提供将一射频IC(RFIC)与一电源管理IC(PMIC)整合且同时在该基材的第二区中提供矽基CMOS电路之系统单晶片(SoC)解决方案。