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经营范围
发明名称
三维直通矽晶贯孔结构;THREE DIMENSIONAL THROUGH-SILICON VIA CONSTRUCTION
摘要
本发明的具体实施例包括具有一起封装在相同封装体中的多个晶粒之元件。该多个晶粒系配置在一中介层上,其接着配置在一封装基板上。该中介层包括一半导体基板,例如矽,其具有从该中介层的一前表面延伸至该中介层的一后表面之贯孔。该中介层系一被动中介层或一主动中介层。一主动中介层包括一或多个晶粒的功能,且因此可减少配置在该主动中介层中的晶粒数量。
申请公布号
TW201431040
申请公布日期
2014.08.01
申请号
TW102142103
申请日期
2013.11.19
申请人
辉达公司
发明人
姜泽圭;伊 亚伯拉罕F
分类号
H01L25/04(2014.01);H01L23/48(2006.01)
主分类号
H01L25/04(2014.01)
代理机构
代理人
<name>蔡滨阳</name>
主权项
地址
NVIDIA CORPORATION 美国
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