薄膜电晶体;THIN FILM TRANSISTOR

摘要

本发明涉及一种薄膜电晶体,包括:一源极;一汲极,该汲极与该源极间隔设置;一半导体层,所述半导体层与所述源极及汲极接触设置,所述半导体层位于所述源极与汲极之间的部分形成一沟道;以及一闸极,该闸极通过一第一绝缘层与该半导体层、源极及汲极绝缘设置;其中,所述源极包括一源极本体及一源极延伸部,所述汲极包括一汲极本体及一汲极延伸部,所述源极延伸部及汲极延伸部相互间隔设置且覆盖部分沟道,且所述源极延伸部及汲极延伸部的功函数与所述半导体层的功函数不相同。