发明名称 基板冷却构件、基板处理装置及基板处理方法;SUBSTRATE COOLING MEMBER, SUBSTRATE PROCESSING DEVICE, AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD
摘要 本发明之目的在于,于基板处理装置简单构成冷却基板用的处理腔室。在向晶圆W施加电浆处理的电浆处理装置10中,将受过电浆处理的晶圆W送入真空预备腔室13,并从气体喷射构件25向晶圆W的表面喷射气体,而冷却晶圆W。气体喷射构件25,具有在平板构件31的一方之平板面形成有复数之气体喷射喷嘴35的构造;气体喷射喷嘴35,具有圆柱状之涡流产生腔室41、及在涡流产生腔室41的底壁52形成开口而喷射气体之喷嘴孔42。将晶圆W之平板面,与在平板构件31形成有气体喷射喷嘴35之平板面,以既定间隔平行地配置,而从喷嘴孔42向晶圆W喷射吹扫气体,并藉由在喷射之吹扫气体使涡漩之流动产生以冷却晶圆W的同时,将真空预备腔室13内从真空气体环境切换为大气压气体环境。
申请公布号 TW201430943 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW102139965 申请日期 2013.11.04
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 河边笃;小林仙尙
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/677(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 <name>周良谋</name><name>周良吉</name>
主权项
地址 TOKYO ELECTRON LIMITED 日本