| 摘要 |
本发明提供一种于进行使用于覆晶构装步骤之具有凸块电极之半导体晶圆的背面研磨,同时或者于其后之步骤进行晶片化的半导体晶片之制造中,不使用底胶而高精度且简单地制造半导体晶片的方法;及使用于上述方法之薄膜研磨用表面保护带。本发明系一种半导体晶片之制造方法及使用于该方法之薄膜研磨用表面保护带,该半导体晶片之制造方法于形成有半导体电路且具有凸块作为电极之附有凸块的半导体晶圆内形成改质层后,研磨该半导体晶圆之背面,并一次分割成各个晶片,且具有如下步骤:于形成该改质层后且于研磨该半导体晶圆之背面之前,将基材膜上具有黏着剂层之黏着带的黏着剂层上积层有接着膜而成的薄膜研磨用表面保护带,以上述接着膜侧贴附于半导体晶圆之形成有半导体电路之侧;及当在研磨该半导体晶圆之背面后进行拾取时,或者当转印至拾取用之带时,设为仅该接着膜接着于晶片之状态。 |
