矽酸锰膜之形成方法、处理系统、半导体元件之制造方法及半导体元件

摘要

[课题]提供一种即使所沈积之锰的状态(价数)取得任何値,亦可良好地进行矽酸化之矽酸锰膜之形成方法。[解决手段]包含:使用锰化合物气体并在包含矽之底层上形成锰金属膜的工程;形成前述锰金属膜后,以氧化环境进行退火的工程;及以前述氧化环境进行退火后,以还原环境进行退火并形成矽酸锰膜的工程。