发明名称 钼合金溅镀靶材的制造方法及钼合金溅镀靶材
摘要 本发明提供一种可稳定且廉价地提供钼合金溅镀靶材的制造方法、及新颖的钼合金溅镀靶材,上述钼合金溅镀靶材为低电阻,耐热性、耐湿性及与基板的密接性亦优异,具有适合作为电极、配线膜的高密度、高纯度,且非磁性的钼合金溅镀靶材。该制造方法包括以满足含有10原子%~49原子%的镍、1原子%~20原子%的铌,且镍与铌的合计量为50原子%以下,剩余部份包含钼及不可避免的杂质的组成的方式,将钼粉末与1种或2种以上的镍合金粉末混合,继而进行加压烧结。
申请公布号 TWI447250 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW101145681 申请日期 2012.12.05
申请人 日立金属股份有限公司 日本 发明人 村田英夫;上滩真史;井上惠介
分类号 C23C14/34;C23C14/50 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种钼合金溅镀靶材的制造方法,其特征在于:其是包括含有10原子%~49原子%的镍、1原子%~20原子%的铌,且镍与铌的合计量为50原子%以下,剩余部份包含钼及不可避免的杂质的组成的钼合金溅镀靶材的制造方法,其中将钼粉末与1种或2种以上的镍合金粉末以满足上述组成的方式混合,继而在进行减压除气后进行加压烧结。
地址 日本