半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括第一掺杂区、第二掺杂区、介电结构与闸极结构。第一掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型并邻近第一掺杂区。介电结构包括互相分开的第一介电部分与第二介电部分。介电结构系形成于第一掺杂区上。闸极结构位于第一掺杂区或第二掺杂区邻近第一介电部分的一部分上。

主权项

一种半导体装置，包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型并邻近该第一掺杂区；一第三掺杂区；一第四掺杂区，其中该第三掺杂区与该第四掺杂区系分别为源极掺杂区与汲极掺杂区，或分别为基极掺杂区与集极掺杂区；一介电结构，包括互相分开的一第一介电部分与一第二介电部分，其中该介电结构系形成于该第一掺杂区上，该第一介电部分与该第二介电部分系位于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间；一第一掺杂层，具有该第二导电型，其中该第一掺杂层位于该第一介电部分与该第二介电部分之间的该第一掺杂区上；以及一闸极结构，位于该第一掺杂区或该第二掺杂区邻近该第一介电部分的一部分上。