发明名称 |
矽晶圆的研磨方法以及矽晶圆 |
摘要 |
本发明的目的在于提供一种矽晶圆的研磨方法以及经研磨的矽晶圆,该矽晶圆的研磨方法与先前的研磨方法同样地,可实现高平坦度,而且可抑制由于研磨液中所含的物质残存于晶圆表面而引起的缺陷的产生。该矽晶圆的研磨方法是将含有研磨粒的研磨液供给至研磨垫的表面,并使上述研磨垫相对于矽晶圆而相对地滑动,藉此来对矽晶圆的表面进行研磨,该矽晶圆的研磨方法的特征在于:上述研磨液中所含的研磨粒的数量为5×1013个/cm3以下。 |
申请公布号 |
TWI447797 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
申请号 |
TW099117428 |
申请日期 |
2010.05.31 |
申请人 |
胜高股份有限公司 日本 |
发明人 |
松田修平;岩下哲郎;谷本龙一;多久岛武;加藤健夫 |
分类号 |
H01L21/304 |
主分类号 |
H01L21/304 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
一种矽晶圆的研磨方法,将含有研磨粒的研磨液供给至研磨垫的表面,并使上述研磨垫相对于矽晶圆而相对地滑动,藉此来对矽晶圆的表面进行研磨,该矽晶圆的研磨方法的特征在于:上述研磨液中所含的研磨粒的数量为5×1013个/cm3以下,且上述研磨粒的基于BET法计算出的平均一次粒径处于10nm~70nm的范围。 |
地址 |
日本 |