二极体、静电放电保护电路及其制造方法;DIODE, ESD PROTECTION CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

摘要

提供一种制造二极体的方法。在N型磊晶层的第一上方部分中形成N型井区域。在所述N型磊晶层的第二上方部分中形成P型漂移区域。在所述N型井区域中形成N型掺杂区域。在所述P型漂移区域中形成P型掺杂区域。在所述P型漂移区域中形成隔离结构。所述隔离结构安置于所述P型掺杂区域与所述N型井区域之间。在所述N型磊晶层的部分上形成第一电极。所述N型磊晶层的所述部分安置于所述N型井区域与所述P型漂移区域之间。所述第一电极与所述隔离结构的部分重叠。形成连接结构以电耦接所述N型掺杂区域与所述第一电极。