| 发明名称 |
双阶半导体基板及其制造方法;DOUBLE STEPPED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD THEREOF |
| 摘要 |
一种在半导体基板上形成双阶表面的方法包括:透过用在金属-有机化学气相沉积(MOCVD)制程之蚀刻制程,在半导体基板的一区域上形成粗糙表面。此方法更包括:透过用在金属-有机化学气相沉积制程之退火制程,在半导体基板的该区域上形成双阶表面。 |
| 申请公布号 |
TW201430911 |
申请公布日期 |
2014.08.01 |
| 申请号 |
TW102146354 |
申请日期 |
2013.12.16 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 |
发明人 |
陈孟谷;林宏达;张惠政 |
| 分类号 |
H01L21/205(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/205(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name><name>颜锦顺</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD. 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
