发明名称 三维半导体元件及其制造方法;THREE-DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF FABRICATING THE SAME
摘要 根据本发明概念的例示性实施例,一种三维半导体元件可包括:包含可呈三维排列的记忆胞的记忆胞阵列,所述记忆胞阵列在平面图中包括相对右侧的左侧以及相对底侧的顶侧;至少一字元线解码器,邻近于记忆胞阵列的左侧及右侧的至少一者;页面缓冲器,邻近于记忆胞阵列的底侧;以及串选择线解码器,邻近于记忆胞阵列的顶侧及底侧中的一者。
申请公布号 TW201430844 申请公布日期 2014.08.01
申请号 TW103100309 申请日期 2014.01.06
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 朴鎭泽;金森宏治;朴泳雨;李载悳
分类号 G11C16/06(2006.01) 主分类号 G11C16/06(2006.01)
代理机构 代理人 <name>詹铭文</name>
主权项
地址 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 南韩